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L63SRT

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    L63SRT

    L63SRT

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 制造商
  • Kingbright Corporation
  • 功能描述
  • LED Uni-Color Red 660nm 2-Pin T-1 3/4 Bag
L63SRT 技术参数
  • L6399DTR 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 驱动配置:半桥 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL,VIH:1.1V,1.9V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,430mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 L6398DTR 功能描述:功率驱动器IC 600V 290 mA Source 430 mA sink BCD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6398D 功能描述:功率驱动器IC High Volt 600V Rail Off Line 3.3V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6395DTR 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 驱动配置:半桥 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL,VIH:1.1V,1.9V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,430mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 L6395D 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL,VIH:1.1V,1.9V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,430mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:100 L6472HTR L6472PD L6472PDTR L6474H L6474HTR L6474PD L6474PDTR L6480H L6480HTR L6482H L6482HTR L6491D L6491DTR L6494L L6494LD L6494LDTR L6494LTR L6498D
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