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LFE2M100E6FN900

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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LFE2M100E6FN900 技术参数
  • LFE2M100E-6FN1152I 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 Mem DSP 1.2V 6Spd 95K LUTs 520 SERDES RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 LFE2M100E-6FN1152C 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 Mem DSP 1.2V 6Spd 95K LUTs 520 SERDES RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 LFE2M100E-6F900I 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 95K LUTs 416 I/O Memory DSP 1.2V 6SPD RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 LFE2M100E-6F900C 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 95K LUTs 416 I/O Memory DSP 1.2V 6SPD RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 LFE2M100E-6F1152I 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 Mem DSP 1.2V 6Spd 95K LUTs 520 SERDES RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 LFE2M100SE-5F900I LFE2M100SE-5FN1152C LFE2M100SE-5FN1152I LFE2M100SE-5FN900C LFE2M100SE-5FN900I LFE2M100SE-6F1152C LFE2M100SE-6F1152I LFE2M100SE-6F900C LFE2M100SE-6F900I LFE2M100SE-6FN1152C LFE2M100SE-6FN1152I LFE2M100SE-6FN900C LFE2M100SE-6FN900I LFE2M100SE-7F1152C LFE2M100SE-7F900C LFE2M100SE-7FN1152C LFE2M100SE-7FN900C LFE2M20E-5F256C
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