LM5109BSD/NOPB/BKN

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LM5109BSD/NOPB/BKN 技术参数

LM5109BSD/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5109BSD 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5109BQNGTTQ1 功能描述:IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 8WSON 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:8 V ~ 14 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:108V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-WSON（4x4）标准包装:1 LM5109BMAX/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5109BMAX 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5110-1MX LM5110-1MX/NOPB LM5110-1SD LM5110-1SD/NOPB LM5110-1SDX LM5110-1SDX/NOPB LM5110-2M LM5110-2M/NOPB LM5110-2MX LM5110-2MX/NOPB LM5110-2SD LM5110-2SD/NOPB LM5110-2SDX LM5110-2SDX/NOPB LM5110-3M LM5110-3M/NOPB LM5110-3MX LM5110-3MX/NOPB