LT1167ACN8#TRPBF

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LT1167ACN8#TRPBF 技术参数

LT1167ACN8#PBF 功能描述:IC PREC INSTRMNT-AMP PROG 8-DIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:150 系列:- 放大器类型:音频电路数:2 输出类型:- 转换速率:5 V/µs 增益带宽积:12MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:100nA 电压 - 输入偏移:500µV 电流 - 电源:6mA 电流 - 输出 / 通道:50mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4 V ~ 32 V，±2 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-TSSOP 包装:管件 LT1166CS8#TRPBF 功能描述:IC BIAS SYS AUTO PWR-OUTPT 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LT1166CS8#PBF 功能描述:IC BIAS SYS AUTO PWR-OUTPT 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LT1166CN8#PBF 功能描述:IC BIAS SYS AUTO PWR-OUTPUT 8DIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LT1162ISW#TRPBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LT1167CN8#PBF LT1167CS8#PBF LT1167CS8#TRPBF LT1167CS8-1#PBF LT1167CS8-1#TRPBF LT1167IN8#PBF LT1167IS8#PBF LT1167IS8#TRPBF LT1167IS8-1#PBF LT1167IS8-1#TRPBF LT1168ACN8#PBF LT1168ACS8#PBF LT1168ACS8#TRPBF LT1168AIN8#PBF LT1168AIS8#PBF LT1168AIS8#TRPBF LT1168CN8#PBF LT1168CS8#PBF