LTE42012R

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说明
操作

LTE42012R
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
电话：0755-8257149682571956
地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
13985
NXP
原厂封装
21+
-
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制造商
PHILIPS
制造商全称
NXP Semiconductors
功能描述
NPN microwave power transistor

LTE42012R 技术参数

LTE-3371TL 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 6.77mW/sr @ 20mA 40° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:过期类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:6.77mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 视角:40° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:1,000 LTE-3371T 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 6.77mW/sr @ 20mA 40° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:6.77mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 视角:40° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:1,000 LTE-3271BL 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 30mW/sr @ 100mA 50° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 视角:50° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:1,000 LTE-3271B 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 6mW/sr @ 20mA 50° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:6mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 视角:50° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:1,000 LTE-302-M 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 0.662mW/sr @ 20mA 40° Radial, Side View 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.662mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:40° 朝向:侧视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，侧视图标准包装:1,000 LTE-5238A LTE-7477LM1-TA LTE-7571LM1 LTE-C1901 LTE-C1906R-14 LTE-C216R-14 LTE-C9301 LTE-C9306 LTE-R38381S-S-U LTE-R38381-STR-U LTE-R38381S-ZF-U LTE-R38386A-S-U LTE-R38386A-ZF-U LTE-R38386-S LTE-R38386S-S-U LTE-R38386S-ZF-U LTE-S9511E LTF3020T-100M-D