LTF1608L-FQR90DBL

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LTF1608L-FQR90DBL 技术参数

LTE-R38386S-ZF-U 功能描述:SMD-IR HIGH POWER LED 制造商:lite-on inc. 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:在售安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线标准包装:1 LTE-R38386S-S-U 功能描述:EMITTER IR 850NM 1A SMD 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:1A 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:320mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:3V 视角:90° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线标准包装:1 LTE-R38386-S 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.8V 1A 160mW/sr @ 1A 90° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:红外线电流 - DC 正向（If）:1A 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:160mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:90° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线，裸露焊盘标准包装:1 LTE-R38386A-ZF-U 功能描述:EMITTER IR 850NM 1A SMD 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:1A 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:150mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:150° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线标准包装:1 LTE-R38386A-S-U 功能描述:EMITTER IR 850NM 1A SMD 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:1A 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:250mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:90° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线标准包装:1 LTF3020T-470M-D LTF3020T-4R7N-D LTF3020T-560M-D LTF3020T-5R6N-D LTF3020T-6R8N-D LTF4022T-100M-D LTF4022T-150M-D LTF4022T-1R2N-D LTF4022T-1R8N-D LTF4022T-220M-D LTF4022T-2R2N-D LTF4022T-330M-D LTF4022T-3R3N-D LTF4022T-470M-D LTF4022T-4R7N-D LTF4022T-560M-D LTF4022T-5R6N-D LTF4022T-6R8N-D