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LT1160

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  • 制造商
  • LINER
  • 制造商全称
  • Linear Technology
  • 功能描述
  • Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1160 技术参数
  • LT1158ISW#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR 1/2BRDG NCH 16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LT1158ISW#PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) LT1158IN#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR 1/2BRDG NCH 16DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LT1158CSW#TRPBF 功能描述:IC LDO REG W/SD 5V 16-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LT1158CSW#PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) LT1161IN#PBF LT1161ISW#PBF LT1161ISW#TRPBF LT1162CN#PBF LT1162CSW#PBF LT1162CSW#TRPBF LT1162IN#PBF LT1162ISW#PBF LT1162ISW#TRPBF LT1166CN8#PBF LT1166CS8#PBF LT1166CS8#TRPBF LT1167ACN8#PBF LT1167ACS8#PBF LT1167ACS8#TRPBF LT1167ACS8-1#PBF LT1167ACS8-1#TRPBF LT1167AIN8#PBF
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