参数资料
| 型号： | LT1976HFE#TRPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 20/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG BUCK ADJ 1.5A 16TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 降压（降压） |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 1.2 V ~ 54 V |
| 输入电压： | 3.3 V ~ 60 V |
| PWM 型： | 电流模式，混合 |
| 频率 - 开关： | 200kHz |
| 电流 - 输出： | 1.5A |
| 同步整流器： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm）裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP-EP |
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LT1976/LT1976B
APPLICATIO S I FOR ATIO
OPTIONAL
SHUTDOWN FUNCTION AND UNDERVOLTAGE
LOCKOUT
V IN
V IN BOOST
LT1976
GND
SW
V OUT
The SHDN pin on the LT1976 controls the operation of the
IC. When the voltage on the SHDN pin is below the 1.2V
shutdown threshold the LT1976 is placed in a “zero”
supply current state. Driving the SHDN pin above the
V BOOST – V SW = V OUT
V BOOST(MAX) = V IN + V OUT
(7a)
shutdown threshold enables normal operation. The SHDN
pin has an internal sink current of 3 μ A.
In addition to the shutdown feature, the LT1976 has an
undervoltage lockout function. When the input voltage is
V IN
V IN BOOST
LT1976
below 2.4V, switching will be disabled. The undervoltage
lockout threshold doesn’t have any hysteresis and is
GND
SW
V OUT
mainly used to insure that all internal voltages are at the
correct level before switching is enabled. If an undervolt-
V BOOST – V SW = V IN
V BOOST(MAX) = 2V IN
(7b)
age lockout function with hysteresis is needed to limit
input current at low V IN to V OUT ratios refer to Figure 8 and
the following:
V UVLO = R 1 ? SHDN + + I SHDN ? + V SHDN
V OUT ( R 1 )
V IN
V IN BOOST
LT1976
GND SW
V BOOST – V SW = V DC
V BOOST(MAX) = V DC + V IN
D SS
V DC
V OUT
1976 F07
V HYST =
? V V SHDN ?
? R 3 R 2 ?
R 3
(7c)
Figure 7. BOOST Pin Configurations
R1 should be chosen to minimize quiescent current during
normal operation by the following equation:
R 1 =
A0.33μFboostcapacitorisrecommendedformostappli-
cations. Almost any type of film or ceramic capacitor is
suitable but the ESR should be <1 Ω to ensure it can be fully
recharged during the off time of the switch. The capacitor
value is derived from worst-case conditions of 4700ns on
Example:
V IN – 2 V
( 1 . 5 ) ( I SHDN ( MAX )
)
= 1 . 3 M Ω
5 ( 1 . 3 M Ω )
time,42mAboostcurrentand0.7Vdischargeripple.The
boost capacitor value could be reduced under less de-
manding conditions but this will not improve circuit opera-
tion or efficiency. Under low input voltage and low load
conditions a higher value capacitor and Schottky boost
R 1 =
R 3 =
12 – 2
1 . 5 ( 5 μ A )
1
= 6 . 5 M Ω (Nearest 1% 6.49M Ω )
– 1 μ A –
diode will reduce discharge ripple and improve start-up
and dropout operation.
1.3
R2 =
7 – 1.3 1 . 3
1.3M Ω 6 . 49 M Ω
= 408 k (Nearest 1% 412k)
1976bfg
20
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