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M29DW323BD70ZE6E

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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M29DW323BD70ZE6E 技术参数
  • M29DW256G7ANF6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP M29DW256G7ANF6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP M29DW256G70ZA6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘 M29DW256G70ZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘 M29DW256G70NF6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) M29DW323DB90N6 M29DW323DT70N6E M29DW323DT70N6F M29DW323DT70N6F TR M29DW323DT70ZE6E M29DW323DT70ZE6F M29DW323DT70ZE6F TR M29DW640F70N6E M29DW640F70ZE6E M29DW641F60ZE6E M29DW641F70N6E M29DW641F70N6F M29DW641F70N6F TR M29F002BB70K6E M29F002BT70K6E M29F010B45K1 M29F010B45K6E M29F010B70K6E
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