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M29F010B120N6T

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    M29F010B120N6T

    M29F010B120N6T

  • 深圳市新良宇电子有限公司
    深圳市新良宇电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8323763213302457603

    地址:福田区振兴路华匀大厦221室

  • 56912

  • STMicroelectronics

  • IC 128K X 8 FLASH 5V

  • 23+

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • 1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
M29F010B120N6T 技术参数
  • M29F002BT70K6E 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 32PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 M29F002BB70K6E 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 32PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 M29DW641F70N6F 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29DW641F70N6E 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29DW641F60ZE6E 功能描述:闪存 64 Mbit 3V Su RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F040B45K1 M29F040B45K1T M29F040B45K6E M29F040B55N1 M29F040B70K1 M29F040B70K6 M29F040B70K6E M29F040B70N1 M29F040B70N1T M29F040B70N1T TR M29F040B70N6 M29F040B70N6E M29F040B90K1 M29F040B90K6 M29F040B90N1 M29F040B90N1T M29F040B90N1T TR M29F040B90N6
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