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M29F200BT45M1

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说明
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M29F200BT45M1T
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
STMicroelectronics
IC 128K X 16 FLASH 5
23+
-
原装现货欢迎来电查询！

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功能描述
闪存 SO-44 256KX8 128KX16
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
数据总线宽度
1 bit
存储类型
Flash
存储容量
2 MB
结构
256 K x 8
定时类型
接口类型
SPI
访问时间
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
2.3 V
最大工作电流
15 mA
工作温度
- 40 C to + 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
封装
Reel

M29F200BT45M1 技术参数

M29F200BB70N6T 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F200BB70N6E 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 M29F200BB70N6 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F200BB70M6E 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F200BB50N3 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 50 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F200FT55M3F2 TR M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3F2 TR M29F200FT5AM6F2 M29F200FT5AM6F2 TR M29F200FT5AN6E2 M29F200FT5AN6F2 M29F200FT5AN6F2 TR M29F400BB45N1 M29F400BB55M1 M29F400BB55M6T M29F400BB55M6T TR M29F400BB55N1 M29F400BB55N6T M29F400BB55N6T TR M29F400BB70M6E M29F400BB70M6T M29F400BB70M6T TR