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M29W640GB70ZF6E.

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M29W640GB70ZF6E. 技术参数
  • M29W640GB70ZF6E 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽) 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 M29W640GB70ZF3F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 64TBGA M29W640GB70ZA6F 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ M29W640GB70ZA6EP 功能描述:IC FLASH 64MB 3V 70NS BB TFBGA48 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ M29W640GB70ZA6E 功能描述:闪存 64MB RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W640GH70ZA6E M29W640GH70ZF6E M29W640GH70ZF6F TR M29W640GH70ZS6E M29W640GH70ZS6F TR M29W640GH7ANB6E M29W640GL70NA6E M29W640GL70NA6F TR M29W640GL70NB6E M29W640GL70NB6F M29W640GL70NB6F TR M29W640GL70ZA6E M29W640GL70ZF3E M29W640GL70ZF3F TR M29W640GL70ZF6E M29W640GL70ZF6F TR M29W640GL70ZS6E M29W640GL70ZS6F TR
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