M58LW064D110N6F

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M58LW064D110N6F
深圳市华创欧科技有限公司
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联系人：朱先生
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地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
38600
ST
TSOP56
2022+
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深圳市一线半导体有限公司
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联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
ST
TSOP56
18+
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原装正品，欢迎订购

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深圳市一线半导体有限公司
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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory

M58LW064D110N6F 技术参数

M58LW064D110N6 功能描述:闪存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M58LW032D90ZA6 功能描述:闪存 32M (4Mx8) 90ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M58LW032D110ZA6 功能描述:闪存 4Mx8 or 2Mx16 110ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M58LW032D110N6 功能描述:闪存 4Mx8 or 2Mx16 110ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M58LW032C90ZA1 功能描述:闪存 4Mx8 or 2Mx16 90ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M58WR032KL70ZA6E M58WR032KL70ZA6U TR M58WR032KT70ZB6F TR M58WR032KU70ZA6U TR M58WR064EB70ZB6 M58WR064EB70ZB6T M58WR064ET70ZB6T M58WR064KB70ZB6E M58WR064KB70ZB6F TR M58WR064KB7AZB6E M58WR064KB7AZB6F TR M58WR064KT70ZB6F TR M58WR064KT7AZB6E M58WR064KT7AZB6F TR M58WR064KU70ZA6E M58WR064KU70ZA6F TR M59564AFP#RD0T M59564FP#RD0T