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MAP4KE10CAE3

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
MAP4KE10CAE3 技术参数
  • MAP4KE10CA 功能描述:TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):8.55V 电压 - 击穿(最小值):9.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):28A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1 MAP4KE10AE3 功能描述:TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):8.55V 电压 - 击穿(最小值):9.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):28A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1 MAP4KE10A 功能描述:TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):8.55V 电压 - 击穿(最小值):9.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):28A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1 MAP4KE100CAE3 功能描述:TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):85.5V 电压 - 击穿(最小值):95V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:137V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):2.9A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1 MAP4KE100CA 功能描述:TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):85.5V 电压 - 击穿(最小值):95V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:137V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):2.9A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1 MAP4KE120AE3 MAP4KE120CA MAP4KE120CAE3 MAP4KE12A MAP4KE12AE3 MAP4KE12CA MAP4KE12CAE3 MAP4KE130A MAP4KE130AE3 MAP4KE130CA MAP4KE130CAE3 MAP4KE13A MAP4KE13AE3 MAP4KE13CA MAP4KE13CAE3 MAP4KE150A MAP4KE150AE3 MAP4KE150CA
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