MAP80-06

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MAP80-06 技术参数

MAP6KE91CAE3 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:77.8V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP6KE91CA 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:77.8V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP6KE91AE3 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:77.8V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP6KE91A 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:77.8V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP6KE9.1CAE3 功能描述:TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:7.78V 电压 - 击穿（最小值）:8.65V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:45A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP80-4002G MAP80-4003 MAP80-4003G MAP80-4004 MAP80-4004G MAP80-4010 MAP80-4010G MAP-9 MAPC-104-C MAPD-008108-C202C0 MAPD-008108-C202TB MAPD-009492-C2W180 MAPD-009492-C2W1TB MAPD-009918-C209C0 MAPD-011007 MAPD-011018 MAPD-011026 MAPD-011027