MB85RS2MTAPH-G-JNE2

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封装
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说明
操作

MB85RS2MTAPH-G-JNE2
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
56
Kaga FEI America, Inc.
8-DIP
21+
-
全新原装

MB85RS2MTAPH-G-JNE2
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王小康
电话：181886423070755-21006672
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Fujitsu Electronics Ameri
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

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功能描述
2MBIT FRAM WITH SPI SERIAL INTER
制造商
fujitsu electronics america, inc.
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
存储器类型
非易失
存储器格式
FRAM
技术
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量
2Mb （256K x 8）
时钟频率
40MHz
写周期时间 - 字，页
-
存储器接口
SPI
电压 - 电源
1.8 V ~ 3.6 V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
通孔
封装/外壳
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装
8-DIP
标准包装
500

MB85RS2MTAPH-G-JNE2 技术参数

MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 功能描述:256KBIT FRAM WITH SPI, AECQ100 H 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM）存储容量:256Kb （32K x 8）时钟频率:33MHz 写周期时间 - 字，页:- 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 MB85RS256BPNF-G-JNERE1 制造商:FUJITSU 功能描述:IC FRAM 256KBIT 33MHZ 8SOP MB85RS256BPNF-G-JNE1 制造商:FUJITSU 功能描述: MB85RS256APNF-G-JNE1 功能描述:IC FRAM 256KBIT 25MHZ 8SOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 MB85RS1MTPW-G-APEWE1 功能描述:IC FRAM 1MBIT 30MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:FRAM（Ferroelectric RAM）存储容量:1M（128K x 8）速度:30MHz 接口:SPI 串行电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:8-XFBGA 供应商器件封装:8-WLP（2.28x3.09）标准包装:1 MB86296SPB-GSE1 MB86296SPB-GS-JXE1 MB86297APBH-GSE1 MB86613SPFV-G-BND MB86613SPMC-G-BNDE1 MB86614APBT-GE1 MB86614APFV-G-BNDE1 MB86619BPFF-G-BNDE1 MB86-BP MB86L12A-RFSS-P1US1 MB86R01PB-GSE1 MB87 MB88 MB88121CPMC1-GE1 MB88121CPMC1-GS-ERE2 MB88121CPMC1-GS-N2E2 MB88151APNF-G-100-JNEFE1 MB88151APNF-G-100-JNERE1