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MBR12U100L-TP

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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
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    联系人:李先生

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  • 深圳市英科美电子有限公司
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  • 北京耐芯威科技有限公司
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MBR12U100L-TP 技术参数
  • MBR12060CTR 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12060CT 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12045CTR 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12045CT 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12040CTR 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR140HWTR MBR140SFT1 MBR140SFT1G MBR140SFT3 MBR140SFT3G MBR150 MBR150G MBR150RL MBR150RLG MBR15100CT C0G MBR15100CT-E1 MBR15100CTF-E1 MBR15100CTF-G1 MBR15100CT-G1 MBR15100CTHC0G MBR15150CT C0G MBR15150CTHC0G MBR15200
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