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MBR20100CS2TR-G1

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MBR20100CS2TR-G1 技术参数

MBR20100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:880mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR20030CTR 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR20030CT 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR200100CTS 功能描述:DIODE MODULE 100V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 80V 安装类型:螺钉安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:25 MBR1660 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 16A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR20100CTG MBR20100CT-G MBR20100CT-G1 MBR20100CTHC0G MBR20100CT-LJ MBR20100CT-M3/4W MBR20100CTP MBR20100CTPBF MBR20100CTTU MBR20100FCT-BP MBR20100FCTE3/TU MBR20100PT C0G MBR20100PTHC0G MBR20100WT MBR20150 MBR20150CT MBR20150CT C0G MBR20150CT-E1