MBR20100CTP(DIODES)

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MBR20100CTP(DIODES) 技术参数

MBR20100CTP 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MBR20100CT 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MBR20100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:880mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR20030CTR 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR20030CT 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR20150CT C0G MBR20150CT-E1 MBR20150CTE3/TU MBR20150CTF-E1 MBR20150CTF-G1 MBR20150CT-G MBR20150CT-G1 MBR20150CTHC0G MBR20150CT-LJ MBR20150CTP MBR20150CTTU MBR20150FCTE3/TU MBR20150PT C0G MBR20150PTHC0G MBR20150SCT-E1 MBR20150SCTF-E1 MBR20150SCTF-G1 MBR20150SCT-G1