MBRS760

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MBRS760 技术参数

MBRM3100-13-F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 3A 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:760mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:100pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:Powermite?3 供应商器件封装:Powermite 3 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:5,000 MBRH20045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座安装封装/外壳:D-67 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBRH20045 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座安装封装/外壳:D-67 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:* 标准包装:50 MBRH12045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座安装封装/外壳:D-67 半封装供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBRH12040R 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座安装封装/外壳:D-67 半封装供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBRT12030R MBRT12035 MBRT12035R MBRT12040 MBRT12040R MBRT12045 MBRT12045R MBRT12060 MBRT12060R MBRT12080 MBRT12080R MBRT200100 MBRT200100R MBRT200150 MBRT200150R MBRT20020 MBRT200200 MBRT200200R