MBRT60030L

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MBRT60030L 技术参数

MBRT40045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:三塔供应商器件封装:三塔标准包装:25 MBRT40045 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:三塔供应商器件封装:三塔标准包装:25 MBRT40035R 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:三塔供应商器件封装:三塔标准包装:25 MBRT40035 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:三塔供应商器件封装:三塔标准包装:25 MBRT400100R 功能描述:DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:880mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:三塔供应商器件封装:三塔标准包装:25 MBRT60040RL MBRT60045 MBRT60045L MBRT60045R MBRT60045RL MBRT60060 MBRT60060R MBRT60080 MBRT60080R MBRTA40020L MBRTA40020RL MBRTA40030L MBRTA40030RL MBRTA40035L MBRTA40035RL MBRTA40040L MBRTA40040RL MBRTA40045L