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MC34151DR2G-TS

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MC34151DR2G-TS 技术参数
  • MC34151DR2G 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MC34151DR2 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MC34151DG 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MC34151D 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MC34129EFR2 功能描述:IC CURRENT MODE CTRLR 14-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电源管理 - 专用 系列:- 应用说明:Ultrasound Imaging Systems Application Note 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:37 系列:- 应用:医疗用超声波成像,声纳 电流 - 电源:- 电源电压:2.37 V ~ 6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:56-WFQFN 裸露焊盘 供应商设备封装:56-TQFN-EP(8x8) 包装:管件 MC34160DWG MC34160DWR2 MC34160DWR2G MC34160P MC34160PG MC34161D MC34161DG MC34161DMR2 MC34161DMR2G MC34161DR2 MC34161DR2G MC34161P MC34161PG MC34163DW MC34163DWG MC34163DWR2 MC34163DWR2G MC34163P
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