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MCH6341-TL-E

配单专家企业名单
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  • MCH6341-TL-E
    MCH6341-TL-E

    MCH6341-TL-E

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2100

  • ON

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原装现货库存!400-800-030...

  • MCH6341-TL-E
    MCH6341-TL-E

    MCH6341-TL-E

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 6550

  • ON

  • ROHS

  • 201311+

  • -
  • 原装正品,现货库存!400-800-03...

  • MCH6341-TL-E
    MCH6341-TL-E

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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 6500

  • ON

  • 原厂原装

  • 1651+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • MCH6341-TL-E
    MCH6341-TL-E

    MCH6341-TL-E

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • ON Semiconductor

  • 6-MCPH

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • MCH6341-TL-E
    MCH6341-TL-E

    MCH6341-TL-E

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • ON/安森美

  • SOT6

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • MCH6341-TL-E
    MCH6341-TL-E

    MCH6341-TL-E

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 69200

  • ON

  • SANYO

  • 18+

  • -
  • 全新原装,优势库存

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MCH6341-TL-E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET SWITCHING DEVICE
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
MCH6341-TL-E 技术参数
  • MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):49 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):225mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):375mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:450MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式),逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):145 毫欧 @ 1A,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.8nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD(5引线),扁引线 供应商器件封装:5-MCPH 标准包装:1 MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):3.5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,1V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商器件封装:4-MCPH 标准包装:1 MCH6421-TL-E MCH6421-TL-W MCH6429-TL-E MCH6431-P-TL-H MCH6431-TL-H MCH6431-TL-W MCH6436-TL-E MCH6436-TL-W MCH6437-P-TL-E MCH6437-TL-E MCH6437-TL-W MCH6444-TL-H MCH6444-TL-W MCH6445-TL-W MCH6448-TL-H MCH6448-TL-W MCH6534-TL-E MCH6536-TL-E
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