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MCH6429

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  • MCH6429-TL-E
    MCH6429-TL-E

    MCH6429-TL-E

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • SANYO Semiconductor (U.S.

  • 6-MCPH

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共11条 
  • 1
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  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全称
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
MCH6429 技术参数
  • MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):41 毫欧 @ 3A,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):49 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):225mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):375mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:450MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式),逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):145 毫欧 @ 1A,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.8nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD(5引线),扁引线 供应商器件封装:5-MCPH 标准包装:1 MCH6444-TL-H MCH6444-TL-W MCH6445-TL-W MCH6448-TL-H MCH6448-TL-W MCH6534-TL-E MCH6536-TL-E MCH6541-TL-E MCH6542-TL-E MCH6544-TL-E MCH6545-TL-E MCH6601-TL-E MCH6602-TL-E MCH6603-TL-H MCH6604-TL-E MCH6605-TL-E MCH6606-TL-E MCH6613-TL-E
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