MGDT100100-SM

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功能描述
PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1
制造商
vishay dale
系列
-
零件状态
在售
变压器类型
栅极驱动
电感
240μH
E.T.
-
匝数比 - 初级
次级
标准包装
1

MGDT100100-SM 技术参数

MGDT100100LF 功能描述:PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1 : 制造商:vishay dale 系列:- 零件状态:在售变压器类型:栅极驱动电感:240μH E.T.:- 匝数比 - 初级:次级:1：1：1 安装类型:通孔大小/尺寸:0.810" 长 x 0.725" 宽（20.57mm x 18.42mm）高度 - 安装（最大值）:0.450"（11.43mm）工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:64 MGDT100100 功能描述:PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1 : 制造商:vishay dale 系列:- 零件状态:在售变压器类型:栅极驱动电感:240μH E.T.:- 匝数比 - 初级:次级:1：1：1 安装类型:通孔大小/尺寸:0.810" 长 x 0.725" 宽（20.57mm x 18.42mm）高度 - 安装（最大值）:0.450"（11.43mm）工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:64 MGDS5-00013 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDS5，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:530mA 电流 - 饱和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:2.01 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 MGDS5-00011 功能描述:470μH Shielded Inductor 730mA 1.08 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDS5，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:730mA 电流 - 饱和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.08 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 MGDS5-00007 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 207 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDS5，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:207 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.300"（7.62mm）标准包装:1 MGDU1-00006 MGDU1-00007 MGDU1-00008 MGDU1-00009 MGDU1-00010 MGDU1-00011 MGDU1-00012 MGDU1-00013 MGDU1-00014 MGDU1-00015 MGDU1-00016 MGDU1-00016-P MGDU1-00017 MGDU1-00018 MGDU1-00019 MGDU2-00001 MGDU2-00002 MGDU2-00003