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MGF0907B

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 说明
  • 操作
  • MGF0907B
    MGF0907B

    MGF0907B

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 5001

  • MITSUBISHI

  • 假一赔十

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • MGF0907B
    MGF0907B

    MGF0907B

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MIT

  • ◆优势价格,保证质量◆

  • 【最新批号】

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • MGF0907B
    MGF0907B

    MGF0907B

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 6880

  • MITSUBISHI

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装,公司部分现货,有单来谈QQ:161...

  • MGF0907B-11
    MGF0907B-11

    MGF0907B-11

  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
    深圳市金嘉旭贸易有限公司

    联系人:

    电话:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 6358

  • MIT

  • N/A

  • 18+

  • -
  • 进口原装特价出售

  • MGF0907B
    MGF0907B

    MGF0907B

  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

    电话:0755-239499810755-23037082

    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 200

  • MITSUBISHI

  • 10+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共24条 
  • 1
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  • 制造商
  • MITSUBISHI
  • 制造商全称
  • Mitsubishi Electric Semiconductor
  • 功能描述
  • High-power GaAs FET (small signal gain stage)
MGF0907B 技术参数
  • MGDU5-00025 功能描述:1mH Unshielded Wirewound Inductor 560mA 1.8 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5,Coev 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:560mA 电流 - 饱和值:1A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):1.8 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽(18.54mm x 15.24mm) 高度 - 安装(最大值):0.291"(7.40mm) 标准包装:1 MGDU5-00018 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 820mA 850 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5,Coev 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:820mA 电流 - 饱和值:1.4A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):850 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽(18.54mm x 15.24mm) 高度 - 安装(最大值):0.291"(7.40mm) 标准包装:1 MGDU5-00014 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 190 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5,Coev 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):190 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽(18.54mm x 15.24mm) 高度 - 安装(最大值):0.291"(7.40mm) 标准包装:1 MGDU5-00012 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 86 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5,Coev 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:4.5A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):86 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽(18.54mm x 15.24mm) 高度 - 安装(最大值):0.291"(7.40mm) 标准包装:1 MGDU5-00008 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 4.3A 31 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5,Coev 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:4.3A 电流 - 饱和值:10A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):31 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.730" 长 x 0.600" 宽(18.54mm x 15.24mm) 高度 - 安装(最大值):0.291"(7.40mm) 标准包装:1 MGFS152405-G MGFS152405-R MGFS152412 MGFS152412-R MGFS152415 MGFS152415-R MGFS15243R3 MGFS15243R3-R MGFS154805 MGFS154805-R MGFS154812 MGFS154812-R MGFS154815 MGFS154815-R MGFS15483R3 MGFS15483R3-R MGFS1R52405 MGFS1R52412
配单专家

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