MIC4607BM

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MIC4607BM 技术参数

MIC4607-2YTS-T5 功能描述:IC MOSF DVR 85V SGL PWM 28TSSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5.25 V ~ 16 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:108V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:28-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:28-TSSOP 标准包装:1 MIC4607-2YML-T5 功能描述:IC MOSFET DVR 85V SGL PWM 28QFN 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5.25 V ~ 16 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:108V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:28-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:28-QFN（4x5）标准包装:1 MIC4607-1YTS-T5 功能描述:IC MOSF DVR 85V SGL PWM 28TSSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5.25 V ~ 16 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:反相，非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:108V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:28-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:28-TSSOP 标准包装:1 MIC4607-1YML-T5 功能描述:IC MOSFET DVR 85V DUAL TTL 28QFN 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5.25 V ~ 16 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:反相，非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:108V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:28-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:28-QFN（4x5）标准包装:1 MIC4606-2YML-T5 功能描述:IC MOSFET DVR 85V FULL BRIDGE 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5.25 V ~ 16 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:108V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（4x4）标准包装:1 MIC4680-3.3BM-TR MIC4680-3.3YM MIC4680-3.3YM-TR MIC4680-5.0BM MIC4680-5.0BM-TR MIC4680-5.0YM MIC4680-5.0YM-TR MIC4680BM MIC4680BM-TR MIC4680YM MIC4680YM-TR MIC4681-2.5BM MIC4681-2.5BM TR MIC4681-3.3BM MIC4681-3.3BM TR MIC4681-5.0BM MIC4681-5.0BM TR MIC4681BM