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MJD2955-1G

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • MJD2955-1G
    MJD2955-1G

    MJD2955-1G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ON

  • 7+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • MJD2955-1G
    MJD2955-1G

    MJD2955-1G

  • 深圳市莱特斯电子科技有限公司
    深圳市莱特斯电子科技有限公司

    联系人:江先生

    电话:19176527791

    地址:深圳市福田区赛格广场1609A

    资质:营业执照

  • 12000

  • ON

  • DPAK 8722 3 (SINGLE

  • 21+

  • -
  • ?只做原装进口,承诺假一罚十,授权分销商...

  • MJD2955-1G
    MJD2955-1G

    MJD2955-1G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ON

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • MJD2955-1G
    MJD2955-1G

    MJD2955-1G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 69200

  • ON

  • DPAK-2

  • 18+

  • -
  • 全新原装,优势库存

  • MJD2955-1G
    MJD2955-1G

    MJD2955-1G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • DPAK?3 (SINGLE GAUGE)

  • ON

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共24条 
  • 1
MJD2955-1G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W PNP
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
MJD2955-1G 技术参数
  • MJD127T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122-1 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:75 MJD117T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD112T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD3055TF MJD31C MJD31C1 MJD31C-13 MJD31C1G MJD31CG MJD31CITU MJD31CQ-13 MJD31CRL MJD31CRLG MJD31CT4 MJD31CT4-A MJD31CT4G MJD31CTF MJD31CTF_NBDD001 MJD31CTF_SBDD001A MJD31CUQ-13 MJD31T4G
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