MJD29CTF全国供应商 MJD29CTF资料|PDF Datasheet|价格【Fairchild 飞兆半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

MJD29CTF
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
FAIRCHILD/仙童
TO-252
22+
-
十年配单，只做原装

MJD29CTF
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON.FAI
TO-252
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

MJD29CTF
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4920
FAIRCHILD
TO-252
0629+
-
全新原装现货

MJD29CTF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
FAIRCHILD
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MJD29CTF
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
2900
FAI
TO252
06+
-
原装现货/特价

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功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

MJD29CTF 技术参数

MJD2955T4 功能描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD127T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122-1 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:75 MJD117T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 2A，3V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD31CG MJD31CITU MJD31CQ-13 MJD31CRL MJD31CRLG MJD31CT4 MJD31CT4-A MJD31CT4G MJD31CTF MJD31CTF_NBDD001 MJD31CTF_SBDD001A MJD31CUQ-13 MJD31T4G MJD32C MJD32C-13 MJD32CG MJD32CQ-13 MJD32CRL