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MJE182-LF

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MJE182-LF 技术参数
  • MJE182 功能描述:TRANS NPN 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.7V @ 600mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:12.5W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE172 功能描述:TRANS PNP 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.7V @ 600mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:12.5W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:2,000 MJD50T4 功能描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 300mA,10V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD47T4 功能描述:TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 300mA,10V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD45H11T4 功能描述:TRANS PNP 80V 8A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 400mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 4A,1V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJE243G MJE253G MJE270 MJE270G MJE271 MJE271G MJE2955T MJE2955TG MJE2955TTU MJE3055T MJE3055TG MJE3055TTU MJE340 MJE340G MJE340STU MJE3439G MJE344G MJE350
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