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MJP-09-BK

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MJP-09-BK 技术参数
  • MJE802 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32 标准包装:50 MJE521 功能描述:TRANS NPN 40V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 1A,1V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE350 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:20.8W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE340 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:20.8W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE3055T 功能描述:TRANS NPN 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):8V @ 3.3A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MJS 250 MJS 3 MJS 3.5 MJS 300 MJS 350 MJS 4 MJS 400 MJS 5 MJS 500 MJS 6 MJS 7 MJS 750 MJS-10PH1 MJS-10PL79 MJS-10PL84 MJS-10SH2 MJS12 MJS12R
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