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MJS-005F01

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MJS-005F01 技术参数
  • MJE802 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32 标准包装:50 MJE521 功能描述:TRANS NPN 40V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 1A,1V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE350 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:20.8W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE340 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:20.8W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE3055T 功能描述:TRANS NPN 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):8V @ 3.3A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MJS22R MJS-24PL80 MJS-24PL85 MJS-26PL79 MJS-50PL80 MJS-51PL79 MJS-51PL81 MJS-8SH2 MJSB-10PH001 MJSB-10PH002 MJSB-10PH003 MJSB-10PH006 MJSB-10PH011 MJSB-10PH016 MJSB-10PH034 MJSB-10PH13 MJSB-10PH14 MJSB-10PH5
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