MMBD4448WTR

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MMBD4448WTR 技术参数

MMBD4448W-7 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HW-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HT-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 MMBD4448HSDW-7 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货二极管配置:2 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 MMBD4448H-7 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 MMBD6050-E3-18 MMBD6050-G3-08 MMBD6050-G3-18 MMBD6050-HE3-08 MMBD6050-HE3-18 MMBD6050LT1 MMBD6050LT1G MMBD6050LT3G MMBD6100LT1 MMBD6100LT1G MMBD6100LT3 MMBD6100LT3G MMBD7000 MMBD7000_D87Z MMBD7000-7 MMBD7000-7-F MMBD7000-E3-08 MMBD7000-E3-18