MMBTA42LT1HTSA1

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MMBTA42LT1HTSA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
6000
英飞凌
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

MMBTA42LT1HTSA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
INFINEON
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
AF TRANSISTORS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
TRANSISTOR NPN 300V SOT-23

MMBTA42LT1HTSA1 技术参数

MMBTA42,215 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:MMBTA42 标准包装:1 MMBTA42 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBTA28-7 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBTA13-TP 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 150mA，1V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 MMBT4126-7 功能描述:TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 MMBTA55LT1 MMBTA55LT1G MMBTA55LT3 MMBTA55-TP MMBTA56 MMBTA56_D87Z MMBTA56-7 MMBTA56-7-F MMBTA56LT1 MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G-HFE MMBTA56LT1HTSA1 MMBTA56LT3G MMBTA56Q-13-F MMBTA56Q-7-F MMBTA56-TP MMBTA56WT1 MMBTA56WT1G