MMSZ5230ET1全国供应商 MMSZ5230ET1资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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MMSZ5230ET1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

MMSZ5230ET1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

MMSZ5230ET1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

MMSZ5230ET1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2100
ON
ROHS
13+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

MMSZ5230ET1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6550
ON
ROHS
201311+
-
原装正品，现货库存！400-800-03...

MMSZ5230ET1
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
2915
ONSEMI
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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功能描述
DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD-123
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
系列
-
标准包装
1
系列
-
电压 - 齐纳（标称）(Vz)
36V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 欧姆
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商设备封装
SOT-323
包装
剪切带 (CT)
工作温度
-65°C ~ 150°C
产品目录页面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

MMSZ5230ET1 技术参数

MMSZ5227BS-7 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 MMSZ5225BS-7-F 功能描述:DIODE ZENER 3V 200MW SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 基本零件编号:MMSZ5225B 标准包装:1 MMSTA64-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 MMSTA64-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 MMSTA63-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 MMSZ5231B-HE3-08 MMSZ5231B-HE3-18 MMSZ5231BS-7 MMSZ5231BS-7-F MMSZ5231BT1 MMSZ5231BT1G MMSZ5231BT3 MMSZ5231BT3G MMSZ5231B-TP MMSZ5231C-E3-08 MMSZ5231C-E3-18 MMSZ5231C-G3-08 MMSZ5231C-G3-18 MMSZ5231C-HE3-08 MMSZ5231C-HE3-18 MMSZ5231CT1G MMSZ5231ET1 MMSZ5232B

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