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MP6KE82CAE3

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
MP6KE82CAE3 技术参数
  • MP6KE82CA 功能描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):70.1V 电压 - 击穿(最小值):77.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:113V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MP6KE82AE3 功能描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):70.1V 电压 - 击穿(最小值):77.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:113V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MP6KE82A 功能描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):70.1V 电压 - 击穿(最小值):77.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:113V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MP6KE8.2CAE3 功能描述:TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):7.02V 电压 - 击穿(最小值):7.79V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MP6KE8.2CA 功能描述:TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):7.02V 电压 - 击穿(最小值):7.79V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MP6M12TCR MP6M14TCR MP6-NNE-NQE-00 MP-6S-B-5 MP6Z13TR MP-700 MP7069-E3/54 MP7078-E3/54 MP-7100-26-DS-1 MP-711064-10-8A MP-7156-22-DW-1GY MP-7156-22-DW-5GY MP-7156-24-DW-5GY MP-7156-43-DW-5GY MP725-0.020-5% MP725-0.050-1% MP725-0.10-1% MP725-0.20-1%
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