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MPLAD36KP170CAE3

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MPLAD36KP170CAE3 技术参数
  • MPLAD30KP51A 功能描述:TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:51V 电压 - 击穿（最小值）:56.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:82.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:366A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP48CA 功能描述:TVS DIODE 48VWM 77.4VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:48V 电压 - 击穿（最小值）:53.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:390A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP48AE3 功能描述:TVS DIODE 48VWM 77.4VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:48V 电压 - 击穿（最小值）:53.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:390A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP45CAE3 功能描述:TVS DIODE 45VWM 72.7VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:45V 电压 - 击穿（最小值）:50V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:72.7V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:414A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP43CAE3 功能描述:TVS DIODE 43VWM 69.4VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:69.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:432A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD36KP18AE3 MPLAD36KP18CA MPLAD36KP18CAE3 MPLAD36KP200A MPLAD36KP200AE3 MPLAD36KP200CA MPLAD36KP200CAE3 MPLAD36KP20A MPLAD36KP20AE3 MPLAD36KP20CA MPLAD36KP220A MPLAD36KP220AE3 MPLAD36KP220CA MPLAD36KP220CAE3 MPLAD36KP22A MPLAD36KP22AE3 MPLAD36KP22CA MPLAD36KP24A
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