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MRF5S21130S

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
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  • 制造商
  • MOTOROLA
  • 制造商全称
  • Motorola, Inc
  • 功能描述
  • The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130S 技术参数
  • MRF587 功能描述:TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):17V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 0.5GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 安装类型:接线柱安装 封装/外壳:244A-01 供应商器件封装:244A-01、STYLE 1 标准包装:20 MRF455 功能描述:TRANS RF NPN 18V 15A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):18V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:13dB 功率 - 最大值:60W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07、STYLE 1 标准包装:10 MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):25V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:30 MRF429 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:30 MRF5S4140HSR5 MRF5S9070MR1 MRF5S9070NR1 MRF5S9070NR5 MRF5S9080NBR1 MRF5S9080NR1 MRF5S9100MBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100NR1 MRF5S9101MBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101NR1 MRF5S9150HR3 MRF5S9150HR5 MRF5S9150HSR3 MRF5S9150HSR5
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