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MRFE6S9130HSR3
参数信息:

功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H

RoHS:

制造商:Freescale Semiconductor

配置:Single

晶体管极性:

频率:1800 MHz to 2000 MHz

增益:27 dB

输出功率:100 W

汲极/源极击穿电压:

漏极连续电流:

闸/源击穿电压:

最大工作温度:

封装 / 箱体:NI-780-4

封装:Tray

MRFE6S9130HSR3技术参数

MRF587 功能描述:TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):17V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 0.5GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 安装类型:接线柱安装 封装/外壳:244A-01 供应商器件封装:244A-01、STYLE 1 标准包装:20 MRF455 功能描述:TRANS RF NPN 18V 15A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):18V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:13dB 功率 - 最大值:60W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07、STYLE 1 标准包装:10 MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):25V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:30 MRF429 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:30 MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HR5 MRFE6S9200HSR3 MRFE6S9200HSR5 MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HR5 MRFE6S9201HSR3 MRFE6S9201HSR5 MRFE6S9205HR3 MRFE6S9205HR5 MRFE6S9205HSR3 MRFE6S9205HSR5 MRFE6VP100HR5 MRFE6VP100HSR5 MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150NR1 MRFE6VP5300GNR1 MRFE6VP5300NR1

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