MRGL10W39ΩF100

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MRGL10W39ΩF100 技术参数

MRFX1K80HR5 功能描述:RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS（双）频率:1.8MHz ~ 470MHz 增益:24dB 电压 - 测试:65V 额定电流:100mA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:1800W 电压 - 额定:182V 封装/外壳:NI-1230H-4S 供应商器件封装:NI-1230H-4S 标准包装:1 MRF587 功能描述:TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:17V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 0.5GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:接线柱安装封装/外壳:244A-01 供应商器件封装:244A-01、STYLE 1 标准包装:20 MRF455 功能描述:TRANS RF NPN 18V 15A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:18V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:13dB 功率 - 最大值:60W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07、STYLE 1 标准包装:10 MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 5A，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 安装类型:底座安装封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:30 MRJ0050DF-A MRJ0060DD-A MRJ0060DF-A MRJ0070DD-A MRJ0070DF-A MRJ0080DD-A MRJ0080DF-A MRJ0090DD-A MRJ0090DF-A MRJ0100DD-A MRJ0100DF-A MRJ0110DD-A MRJ0110DF-A MRJ0120DD-A MRJ0120DF-A MRJ0130DD-A MRJ0130DF-A MRJ0140DD-A