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MSMBG120CAE3

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
MSMBG120CAE3 技术参数
  • MSMBG120CA 功能描述:TVS DIODE 120VWM 193VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:120V 电压 - 击穿（最小值）:133V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:193V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.1A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG120AE3 功能描述:TVS DIODE 120VWM 193VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:120V 电压 - 击穿（最小值）:133V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:193V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.1A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG120A 功能描述:TVS DIODE 120VWM 193VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:120V 电压 - 击穿（最小值）:133V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:193V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.1A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG11CAE3 功能描述:TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:11V 电压 - 击穿（最小值）:12.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:33A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG11CA 功能描述:TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:11V 电压 - 击穿（最小值）:12.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:33A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG13AE3 MSMBG13CA MSMBG13CAE3 MSMBG14A MSMBG14AE3 MSMBG14CA MSMBG14CAE3 MSMBG150A MSMBG150AE3 MSMBG150CA MSMBG150CAE3 MSMBG15A MSMBG15AE3 MSMBG15CA MSMBG15CAE3 MSMBG160A MSMBG160AE3 MSMBG160CA
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