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MSMCJ5.0AE3

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
MSMCJ5.0AE3 技术参数
  • MSMCJ5.0A 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):6.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:9.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):163A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ48CAE3 功能描述:TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):48V 电压 - 击穿(最小值):53.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:77.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):19.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ48CA 功能描述:TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):48V 电压 - 击穿(最小值):53.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:77.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):19.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ48AE3 功能描述:TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):48V 电压 - 击穿(最小值):53.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:77.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):19.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ48A 功能描述:TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):48V 电压 - 击穿(最小值):53.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:77.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):19.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ) 标准包装:1 MSMCJ54CAE3 MSMCJ58A MSMCJ58AE3 MSMCJ58CA MSMCJ58CAE3 MSMCJ6.0A MSMCJ6.0AE3 MSMCJ6.0CA MSMCJ6.0CAE3 MSMCJ6.5A MSMCJ6.5AE3 MSMCJ6.5CA MSMCJ6.5CAE3 MSMCJ60A MSMCJ60AE3 MSMCJ60CA MSMCJ60CAE3 MSMCJ64A
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