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MSMLJ54CAE3

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
MSMLJ54CAE3 技术参数
  • MSMLJ54CA 功能描述:TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):54V 电压 - 击穿(最小值):60V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:87.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):34.4A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ54AE3 功能描述:TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):54V 电压 - 击穿(最小值):60V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:87.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):34.4A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ54A 功能描述:TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):54V 电压 - 击穿(最小值):60V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:87.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):34.4A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ51CAE3 功能描述:TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):51V 电压 - 击穿(最小值):56.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:82.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):36.4A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ51CA 功能描述:TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):51V 电压 - 击穿(最小值):56.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:82.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):36.4A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ6.5AE3 MSMLJ6.5CA MSMLJ6.5CAE3 MSMLJ60A MSMLJ60AE3 MSMLJ60CA MSMLJ60CAE3 MSMLJ64A MSMLJ64AE3 MSMLJ64CA MSMLJ64CAE3 MSMLJ7.0A MSMLJ7.0AE3 MSMLJ7.0CA MSMLJ7.0CAE3 MSMLJ7.5A MSMLJ7.5AE3 MSMLJ7.5CA
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