MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R

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MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R 技术参数

MT29F32G08QAAWP:A TR 功能描述:IC FLASH 32GBIT 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22）包装:托盘其它名称:71V3557SA75BGI MT29F32G08FAAWP-ET:A TR 功能描述:IC FLASH 32GBIT 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16）速度:110ns 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7）包装:托盘 MT29F32G08FAAWP:A TR 功能描述:IC FLASH 32GBIT 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步存储容量:1.125M（32K x 36）速度:5ns 接口:并联电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17）包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 MT29F32G08CFACBWP-12:C 功能描述:IC FLASH NAND 32GB 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT29F32G08CFACAWP:C 功能描述:IC FLASH NAND 32GB 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT29F3T08EUHBBM4-3R:B MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR MT29F4G01AAADDHC:D MT29F4G01AAADDHC-IT:D MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR MT29F4G01AAADDHC-ITX:D MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR MT29F4G01ABAFD12-AATES:F MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR MT29F4G01ABAFD12-ITES:F MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR MT29F4G01ABBFD12-AATES:F MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR MT29F4G01ABBFD12-ITES:F MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F