MT46V256M4P-5B

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MT46V256M4P-5B 技术参数

MT46V16M8TG-75:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:托盘其它名称:Q2841869 MT46V16M8TG-75:D 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:托盘其它名称:Q2841869 MT46V16M8TG-6T:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 6NS 66TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线）电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) MT46V16M8TG-6T L:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 6NS 66TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) MT46V16M8TG-6T IT:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 6NS 66TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) MT46V32M16BN-5B L IT:F MT46V32M16BN-5B:C MT46V32M16BN-5B:C TR MT46V32M16BN-5B:F MT46V32M16BN-5B:F TR MT46V32M16BN-6 IT:F MT46V32M16BN-6 IT:F TR MT46V32M16BN-6:C MT46V32M16BN-6:C TR MT46V32M16BN-6:F TR MT46V32M16BN-75 IT:C MT46V32M16BN-75 IT:C TR MT46V32M16BN-75 L:C MT46V32M16BN-75 L:C TR MT46V32M16BN-75:C MT46V32M16BN-75:C TR MT46V32M16CV-5B IT:J MT46V32M16CV-5B IT:J TR