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MT46V64M8BN-75Z

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  • 深圳市英科美电子有限公司
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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
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MT46V64M8BN-75Z 技术参数
  • MT46V64M8BN-75:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:托盘 其它名称:Q2841869 MT46V64M8BN-75:D 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:托盘 其它名称:Q2841869 MT46V64M8BN-75 L:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA(7x7) 包装:托盘 MT46V64M8BN-75 L:D 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:托盘 其它名称:Q2841869 MT46V64M8BN-75 IT:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA(7x7) 包装:托盘 MT46V64M8CY-5B L:J TR MT46V64M8CY-5B:J MT46V64M8CY-5B:J TR MT46V64M8FN-5B:D TR MT46V64M8FN-6 IT:F MT46V64M8FN-6 IT:F TR MT46V64M8FN-6:D TR MT46V64M8FN-6:F TR MT46V64M8FN-75 IT:D MT46V64M8FN-75 IT:D TR MT46V64M8FN-75 L:D MT46V64M8FN-75 L:D TR MT46V64M8FN-75:D MT46V64M8FN-75:D TR MT46V64M8P-5B AIT:J MT46V64M8P-5B AIT:J TR MT46V64M8P-5B IT:J MT46V64M8P-5B IT:J TR
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