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MT47H64M8B6-3IT

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

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  • 深圳市华创欧科技有限公司
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    联系人：朱先生

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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
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    联系人：曹先生

    电话：0755-239499810755-23037082

    地址：深圳市福田区都会大厦B座29S

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MT47H64M8B6-3IT 技术参数
  • MT47H64M8B6-37E:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 MT47H64M8B6-37E IT:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 MT47H64M8B6-3:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 MT47H64M8B6-3 IT:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 MT47H64M8B6-25E:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 MT47H64M8CB-37E:B TR MT47H64M8CB-37V:B MT47H64M8CB-37V:B TR MT47H64M8CB-5E IT:B MT47H64M8CB-5E IT:B TR MT47H64M8CB-5E:B MT47H64M8CB-5E:B TR MT47H64M8CF-187E:G MT47H64M8CF-25E AIT:G MT47H64M8CF-25E AIT:G TR MT47H64M8CF-25E IT:G MT47H64M8CF-25E IT:G TR MT47H64M8CF-25E L:G MT47H64M8CF-25E L:G TR MT47H64M8CF-25E:G MT47H64M8CF-25E:G TR MT47H64M8JN-25E IT:G MT47H64M8JN-25E:G
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