MT47H64M8CF-5E

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深圳市华创欧科技有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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MT47H64M8CF-5E 技术参数

MT47H64M8CF-25E:G TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 MT47H64M8CF-25E:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 MT47H64M8CF-25E L:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT47H64M8CF-25E IT:G TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR MT47H64M8CF-25E IT:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT47R128M8CF-3:H MT47R256M4CF-25E:H MT47R256M4CF-3:H MT47R256M8EB-25E:C MT47R512M4EB-25E:C MT47R64M16HR-25:H MT47R64M16HR-25E:H MT47R64M16HR-3:H MT48FN MT48FNX MT48H16M16LFBF-6 IT:H MT48H16M16LFBF-6:H MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR MT48H16M16LFBF-75 IT:G TR MT48H16M16LFBF-75 IT:H MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR MT48H16M16LFBF-75:G TR MT48H16M16LFBF-75:H