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MT47H64M8JN-3IT

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  • 深圳市华创欧科技有限公司
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    联系人:朱先生

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    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

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  • 深圳市芯驰科技有限公司
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    联系人:丁皓鹏

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    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

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MT47H64M8JN-3IT 技术参数
  • MT47H64M8JN-25E:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘 MT47H64M8JN-25E IT:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR) MT47H64M8CF-25E:G TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 MT47H64M8CF-25E:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘 MT47H64M8CF-25E L:G 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR) MT47R256M4CF-3:H MT47R256M8EB-25E:C MT47R512M4EB-25E:C MT47R64M16HR-25:H MT47R64M16HR-25E:H MT47R64M16HR-3:H MT48FN MT48FNX MT48H16M16LFBF-6 IT:H MT48H16M16LFBF-6:H MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR MT48H16M16LFBF-75 IT:G TR MT48H16M16LFBF-75 IT:H MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR MT48H16M16LFBF-75:G TR MT48H16M16LFBF-75:H MT48H16M32L2B5-10 MT48H16M32L2B5-10 IT
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