MT4HTF3264HY53ED3

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MT4HTF3264HY53ED3 技术参数

MT4HTF3264AY-667D3 功能描述:MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件状态:过期存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:256MB 速度:667MT/s 封装/外壳:240-UDIMM 标准包装:100 MT49H8M36FM-5 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 200MHZ 144FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22）包装:托盘其它名称:71V3557SA75BGI MT49H8M36FM-33 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22）包装:托盘其它名称:71V3557SA75BGI MT49H8M36FM-25:B 功能描述:IC RLDRAM 288MB 144UBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步存储容量:128K（8K x 16）速度:15ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14）包装:托盘其它名称:70V25S15PF MT49H8M36FM-25 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22）包装:托盘其它名称:71V3557SA75BGI MT4HTF6464AY-53EA1 MT4HTF6464AY-667E1 MT4HTF6464AZ-667H1 MT4HTF6464AZ-800H1 MT4HTF6464AZ-800M1 MT4HTF6464HY-667E1 MT4HTF6464HZ-667H1 MT4HTF6464HZ-800H1 MT4HTF6464HZ-800M1 MT4JSF12864HZ-1G1D1 MT4JSF12864HZ-1G4D1 MT4JSF12864HZ-1G6D1 MT4JSF6464HY-1G4B1 MT4JTF12864AZ-1G1D1 MT4JTF12864AZ-1G4D1 MT4JTF12864AZ-1G6D1 MT4JTF25664AZ-1G6E1 MT4JTF25664HZ-1G6E1